德國紐倫堡，2025年5月6日——全球電力電子行業(yè)年度盛會PCIM Europe 2025在德國紐倫堡展覽中心盛大開幕。作為中國功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，賽晶半導(dǎo)體攜多款前沿產(chǎn)品及解決方案亮相展會（展位號：Hall 7, Booth 479），展示了其在碳化硅（SiC）、IGBT及功率模塊領(lǐng)域的最新突破，引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。

聚焦創(chuàng)新：重磅產(chǎn)品與技術(shù)全球首發(fā)

m23 1400V 100A SiC MOSFET芯片

本屆展會上，賽晶半導(dǎo)體首次向全球發(fā)布了一款核心產(chǎn)品，即：m23 1400V 100A SiC MOSFET芯片，彰顯其強(qiáng)勁的技術(shù)研發(fā)實(shí)力：

在光伏和儲能領(lǐng)域，SiC（碳化硅）半導(dǎo)體技術(shù)因其獨(dú)特的材料特性，在高壓、高頻、高溫應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。1400V SiC器件能夠更可靠地應(yīng)用于光伏、儲能2000V系統(tǒng)的高壓場景，提高系統(tǒng)功率密度及能量轉(zhuǎn)換效率，降低系統(tǒng)成本。

1400V SiC技術(shù)通過高效率、高壓耐受性、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)勢，成為推動光伏和儲能2000V系統(tǒng)發(fā)展的關(guān)鍵。隨著成本下降和國產(chǎn)化加速，SiC將進(jìn)一步賦能高壓系統(tǒng)的降本增效，并在可再生能源領(lǐng)域占據(jù)更核心的地位。

展會現(xiàn)場，賽晶還展示了m23 1200V,100A SiC power MOSFET芯片、i23 1200V, 150A-300A micro pattern lGBT 300mm芯片、i23 1700V, 300A micro pattern lGBT 200mm芯片、i20 1200V 100A-250A fine pattern IGBT 300mm芯片以及其他模塊系列產(chǎn)品，吸引眾多國內(nèi)外客戶駐足交流。

技術(shù)對話：共謀能源轉(zhuǎn)型新路徑

展會同期，賽晶半導(dǎo)體的四位技術(shù)專家受邀出席高峰論壇，各自向與會者分享了自己最新研發(fā)成果：

Sven Matthias

論文標(biāo)題：

《面向62mm功率模塊的自動化優(yōu)化設(shè)計(jì)：性能與可靠性提升》

"Automation-Optimized Design for 62mm Power Modules: Enhanced Performance and Reliability"

核心內(nèi)容：

本文針對經(jīng)典的 62 mm IGBT 模塊提出了一種超緊湊基板設(shè)計(jì)和自動化友好型組裝工藝，從而提高了電氣性能和可靠性。該設(shè)計(jì)通過在三維空間實(shí)施柵極軌道，最大限度地減少了柵極連接空間，從而最大限度地?cái)U(kuò)大了功率器件的空間。緊湊的集成實(shí)現(xiàn)了 Ls = 10 nH 的低內(nèi)部雜散電感，并降低了連接電阻。這種方法提高了功率密度，同時(shí)改善了制造自動化并確保了穩(wěn)健的電氣連接。結(jié)構(gòu)和電氣特性測試證實(shí)了模塊的完整性和可靠性，功率循環(huán)和開關(guān)性能測試則驗(yàn)證了模塊的大電流處理能力。所提出的設(shè)計(jì)大大提高了性能和制造效率，使其成為下一代電力電子器件的有力候選者。

（原文：This paper presents an ultra-compact substrate design and automation-friendly assembly process for classic 62 mm IGBT modules, improving electrical performance and reliability. The design minimizes space for gate connections by implementing gate tracks in the third dimension, maximizing space for power devices. The compact integration achieves a low internal stray inductance of Ls=10nH, and reduced connection resistance. This approach enhances power density while improving manufacturing automation and ensuring robust electrical connections. Structural and electrical characterization confirms the module’s integrity and reliability, and power cycling and switching performance tests validate its high-current handling capabilities. The proposed design significantly enhances performance and manufacturing efficiency, making it a strong candidate for next-generation power electronics. ）

Nick Gilles Schneider

論文標(biāo)題：

《采用新型微溝槽柵IGBT的900A 1200V ED模塊：局部載流子限制控制技術(shù)》

"900 A 1200 V ED Module with New Micro pattern Trench lGBT Featuring Local Carrier Confinement Control"

核心內(nèi)容：

新型SwissSEM 900A/1200V ED型模塊采用了具有先進(jìn)電流密度的微溝槽IGBT芯片組。相較于上一代產(chǎn)品，該模塊在關(guān)斷損耗相近的情況下，將集射極飽和電壓（VCE,sat）降低了近400mV。文中提出了微溝槽IGBT的局部載流子限制控制技術(shù)（LCT），并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了其優(yōu)勢。反向續(xù)流二極管經(jīng)過優(yōu)化，在恢復(fù)損耗不變的情況下，正向壓降（VF）降低了250mV。此外，二極管與IGBT均展現(xiàn)出極高的魯棒性，并具有優(yōu)異的開關(guān)軟特性。

（原文：In this paper, the new SwissSEM 900 A,1200 V ED-type module featuring a micropattern IGBT chipset with state-of-the-art current density is introduced. The new module offers almost 400 mV reduction in VCE,sat at similar turn-off losses compared to the previous generation. The concept of local carrier confinement control for micropattern trench IGBTs (LCT) is introduced, and the benefits are shown experimentally. The auxiliary diode is optimized and improved by 250 mV in VF at the same recovery losses. Additionally,both the diode and IGBT are extremely rugged and show excellent switching softness.）

Nick在展會現(xiàn)場發(fā)布報(bào)告

此外，Raffael Schnell和Roger Stark也分別以《搭載i23微溝槽柵芯片組的高性能IGBT模塊》和《基于應(yīng)用場景運(yùn)行溫度的SiC MOSFET單元布局優(yōu)化》為主題，分享了其最新技術(shù)成果，與會專家對賽晶半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新表示高度認(rèn)可，

PCIM Europe 2025不僅是技術(shù)展示的平臺，更是推動全球能源轉(zhuǎn)型的加速器。賽晶半導(dǎo)體通過前沿產(chǎn)品發(fā)布與技術(shù)成果分享，再次印證了其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。未來，公司將持續(xù)深耕碳化硅與IGBT技術(shù)，推動國產(chǎn)半導(dǎo)體高端化進(jìn)程，并與全球合作伙伴共建綠色能源生態(tài)，助力“雙碳”目標(biāo)實(shí)現(xiàn)。