i20 1200V 200A/300A系列IGBT模塊采用成熟的ST封裝半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)，具有出色的溫度循環(huán)能力，將運(yùn)行結(jié)溫提升至175℃顯著提高了產(chǎn)品功率密度，從而拓展了散熱設(shè)計(jì)的自由度。 該模塊配備的i20精細(xì)溝槽柵型IGBT芯片組可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度，其超低的損耗給模塊帶來(lái)了出色的系統(tǒng)可靠性，其對(duì)稱環(huán)流設(shè)計(jì)，使得模塊具有更低的寄生參數(shù)及開(kāi)關(guān)特性，高度對(duì)稱并聯(lián)的電路設(shè)計(jì)，更好的實(shí)現(xiàn)了均流特性。

產(chǎn)品型號(hào)

• SISD0200ST120i20 _A01

• SISD0300ST120i20 _A01

產(chǎn)品特點(diǎn)

• i20超低損耗精細(xì)溝槽柵IGBT芯片組

• 加強(qiáng) AI2O3絕緣陶瓷基板

• 低熱阻銅底板

• 優(yōu)化行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，顯著降低內(nèi)部阻抗與接線端溫升

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

• 基于多年功率半導(dǎo)體研發(fā)經(jīng)驗(yàn)優(yōu)化的國(guó)產(chǎn)IGBT與二極管芯片組

• 高魯棒性短路耐受能力，提升系統(tǒng)安全性

• 優(yōu)化開(kāi)關(guān)特性，降低高頻應(yīng)用中的功耗

• 支持高功率密度輸出，適用于緊湊型設(shè)備設(shè)計(jì)

• 采用可追溯性管理進(jìn)行質(zhì)量控制

應(yīng)用領(lǐng)域

• UPS

• 工業(yè)變頻驅(qū)動(dòng)器

• 電焊機(jī)

• 電源

1200V 200A /300A ST封裝半橋IGBT模塊，現(xiàn)已量產(chǎn)。歡迎廣大客戶訪問(wèn)賽晶亞太半導(dǎo)體公司網(wǎng)站 https://www.swiss-sem.com/，查閱詳情、索取樣品。